Gast_51960
Guest
Die Problematik beim Foveon, um mal wieder auf den Sensor zurück zu kommen, dürfte nicht in der horizontalen, als vielmehr in der vertikalen Chipstruktur und einer ausreichenden Trennung von Nutz- und Störsignalen bei gleichzeitig zuverlässiger Funktion der vertikalen Verbindungen bei entsprechend kleinem Aufbau der Pixel liegen.
Bisher kleinster Pixelpitch beim Foveon X3 waren 5µm (FO18-50-F19 X3), die besten Ergebnisse erzielte man offenbar bei 9,2µm (F7X3-C9110). Mit 7,8µm (Fx17-78-F13D) hat man hier nun scheinbar einen beherrschbaren Kompromiss erreicht.
Dieser ist mit Standardtechnologien derzeit zu einem vernünftigen Preis / Leistungsverhältnis realisierbar.
Dennoch ist die 3 Layer Struktur mit bisherigen Chip-Herstellungsverfahren offenbar auf eine bestimmte, sinnvolle Grösse begrenzt, denn mit der grösser werdenden Fläche des Sensorchips steigt der Anteil der unerwünschten Effekte (Übersprechen, kapazitive Kopplungen, Trennung von analogen und digitalen Signalen etc.) innerhalb der vertikalen Struktur.
Nun lassen sich aber die vertikalen Leiter (noch) nicht entsprechend klein / dünn realisieren (und aus anderen Gründen auch nicht ausreichend weit voneinander entfernt einbinden) und zuverlässig aufbauen, dass diese Effekte ausreichend minimiert werden könnten.
Mit fortschreitender Entwicklung der Chip-Herstellungsverfahren dürfte sich aber auch dieses Problem künftig erledigen, denn auf anderen Gebieten (Coating, Multichip Packaging etc.) wird ebenso weiterentwickelt und die dort gewonnenen Erkenntnisse und Technologien werden in die 3-Layer Sensorentwicklung einfließen.
Die heute zur Verfügung stehenden lithografischen Verfahren dürften von ihrer Auflösung und Kantenschärfe her für die erforderlichen horizontalen Chip-Strukturen völlig ausreichend sein. Für problematischer halte ich, wie gesagt, die vertikalen Strukturen. Hier lassen sich evtl. Technologien der "Backlit Sensoren" passend modifizieren. Leider haben Foveon und seine Partner aus ihrer Entwicklungsarbeit noch nie viel verraten und Neuerungen wurden erst publiziert, nachdem die Produkte auf dem Markt waren. So wird auch weiterhin alles um die Entwicklungsfortschritte des X3 Sensors wohl Spekulation bleiben.
Gruss,
Browny.
http://repository.tudelft.nl/file/379469/370794
http://www.elektroniknet.de/home/bauelemente/news/n/d/euv-lithographie-kommt-2010/
Bisher kleinster Pixelpitch beim Foveon X3 waren 5µm (FO18-50-F19 X3), die besten Ergebnisse erzielte man offenbar bei 9,2µm (F7X3-C9110). Mit 7,8µm (Fx17-78-F13D) hat man hier nun scheinbar einen beherrschbaren Kompromiss erreicht.
Dieser ist mit Standardtechnologien derzeit zu einem vernünftigen Preis / Leistungsverhältnis realisierbar.
Dennoch ist die 3 Layer Struktur mit bisherigen Chip-Herstellungsverfahren offenbar auf eine bestimmte, sinnvolle Grösse begrenzt, denn mit der grösser werdenden Fläche des Sensorchips steigt der Anteil der unerwünschten Effekte (Übersprechen, kapazitive Kopplungen, Trennung von analogen und digitalen Signalen etc.) innerhalb der vertikalen Struktur.
Nun lassen sich aber die vertikalen Leiter (noch) nicht entsprechend klein / dünn realisieren (und aus anderen Gründen auch nicht ausreichend weit voneinander entfernt einbinden) und zuverlässig aufbauen, dass diese Effekte ausreichend minimiert werden könnten.
Mit fortschreitender Entwicklung der Chip-Herstellungsverfahren dürfte sich aber auch dieses Problem künftig erledigen, denn auf anderen Gebieten (Coating, Multichip Packaging etc.) wird ebenso weiterentwickelt und die dort gewonnenen Erkenntnisse und Technologien werden in die 3-Layer Sensorentwicklung einfließen.
Die heute zur Verfügung stehenden lithografischen Verfahren dürften von ihrer Auflösung und Kantenschärfe her für die erforderlichen horizontalen Chip-Strukturen völlig ausreichend sein. Für problematischer halte ich, wie gesagt, die vertikalen Strukturen. Hier lassen sich evtl. Technologien der "Backlit Sensoren" passend modifizieren. Leider haben Foveon und seine Partner aus ihrer Entwicklungsarbeit noch nie viel verraten und Neuerungen wurden erst publiziert, nachdem die Produkte auf dem Markt waren. So wird auch weiterhin alles um die Entwicklungsfortschritte des X3 Sensors wohl Spekulation bleiben.
Gruss,
Browny.
http://repository.tudelft.nl/file/379469/370794
http://www.elektroniknet.de/home/bauelemente/news/n/d/euv-lithographie-kommt-2010/