W3ihnachtsmann
Themenersteller
Hallo,
eine Camera mit einem Si-Chip hat eine Sensitivität bis 1.12 eV / 1110nm. Bei höheren Wellenlängen sollte sie nicht mehr empfindlich sein.
Siehe z.B. Fig. 2 hier: https://www.researchgate.net/public..._Multispectral_Sensors_A_Crop_Monitoring_Test
Nun ist diese Kamera
https://www.amazon.de/USB-Mikroskop...&pf_rd_p=151d66da-accb-5083-9e6a-a6e2dcbfbf77
und angeblich viele andere auch sensitiv bei 1310nm. Ich kann nicht quantifizieren wie sensitiv, aber so als Idee 0.1dBm kann diffus reflektiert zu Sättigung führen. Bei 1550nm sieht man praktisch nichts mehr, erst wieder ab 0dBm direkt in die Kamera.
Warum ist das so? Sind da Zustände in der Bandlücke besetzt, die angeregt werden? Ist das ein nichtlinearer Effekt?
Bin gespannt was Ihr denkt.
eine Camera mit einem Si-Chip hat eine Sensitivität bis 1.12 eV / 1110nm. Bei höheren Wellenlängen sollte sie nicht mehr empfindlich sein.
Siehe z.B. Fig. 2 hier: https://www.researchgate.net/public..._Multispectral_Sensors_A_Crop_Monitoring_Test
Nun ist diese Kamera
https://www.amazon.de/USB-Mikroskop...&pf_rd_p=151d66da-accb-5083-9e6a-a6e2dcbfbf77
und angeblich viele andere auch sensitiv bei 1310nm. Ich kann nicht quantifizieren wie sensitiv, aber so als Idee 0.1dBm kann diffus reflektiert zu Sättigung führen. Bei 1550nm sieht man praktisch nichts mehr, erst wieder ab 0dBm direkt in die Kamera.
Warum ist das so? Sind da Zustände in der Bandlücke besetzt, die angeregt werden? Ist das ein nichtlinearer Effekt?
Bin gespannt was Ihr denkt.